도쿄, 일본--(뉴스와이어)--메모리 솔루션 분야의 세계적 리더인 키오시아(Kioxia Corporation)는 오늘 10세대 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리 기술을 활용한 1Tb(테라비트) TLC(Triple-Level-Cell) 메모리 디바이스의 샘플 출하를 시작했다고 발표했다.[1] 이 디바이스는 주로 회사의 기업 및 데이터 센터 SSD에 통합돼 고성능, 대용량, 저전력소비를 요구하는 AI 스토리지에 대한 증가하는 수요를 충족하기 위해 키오시아의 제품 라인업을 강화할 것이다. 이러한 신제품은 일본 이와테현에 위치한 키오시아의 기타카미 공장 팹[2] 시설의 최첨단 장비를 사용하여 제조될 예정이다.

8세대 BiCS FLASH™부터 채택된 혁신적인 CMOS 직접 접합 어레이(CBA) 기술2과 온피치 셀렉트 게이트 드레인(OPS) 기술[3]을 활용하는 10세대 기술은 8세대 대비 33% 향상된 4.8Gb/s[4]의 NAND 인터페이스 속도를 달성했다. 비트 밀도는 332개의 레이어 적층 및 측면 밀도 향상을 통해 59% 증가되었다. 또한 쓰기 및 읽기 전력 효율이 각각 18% 및 30% 향상[5]되어 데이터 센터 및 기업 인프라의 전력 소비를 줄이는 데 도움이 된다.

키오시아는 고유한 이중 전략을 통해 두 가지 제품 라인을 동시에 발전시키고 있다. 하나는 상대적으로 낮은 투자 비용으로 고성능을 제공하는 9세대 솔루션이고, 다른 하나는 첨단 적층 기술을 활용하여 대용량과 고성능을 구현하는 10세대 기술이다.

‘메모리로 세상을 발전시킨다’는 사명을 바탕으로, 키오시아는 기술 혁신을 주도하고, 글로벌 파트너십을 강화하며, 최신 AI 인프라를 뒷받침하는 첨단 스토리지 솔루션을 제공하기 위해 지속적으로 노력하고 있다.

[1] 이 샘플은 기능 확인용이며, 샘플 사양은 대량 생산 시 다를 수 있다.

[2] CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 각각 최적화된 조건에서 별도로 제조한 후 접합하는 기술이다.

[3] 사용하지 않는 메모리 홀을 제거하여 비트 라인 길이를 줄이고 워드 라인 정전 용량을 감소시키는 기술이다.

[4] 1Gb/s는 1,000,000,000비트/초로 계산된다. 이 값은 키오시아의 특정 테스트 환경에서 얻은 값이며, 사용 조건에 따라 달라질 수 있다.

[5] 데이터 전송 중 전력 효율도 포함된다.

참고:

· 제품 밀도는 최종 사용자가 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량이 아니라 제품 내 메모리 칩의 밀도를 기준으로 정의된다. 소비자가 사용할 수 있는 용량은 오버헤드 데이터 영역, 포맷, 불량 블록 및 기타 제약 조건으로 인해 낮아질 수 있으며, 호스트 장치 및 애플리케이션에 따라 달라질 수도 있다. 자세한 내용은 해당 제품 사양에서 확인할 수 있다. 1GB = 2^30비트 = 1,073,741,824비트.

읽기 및 쓰기 속도는 키오시아의 특정 테스트 환경에서 얻은 최상의 값이며, 회사는 개별 장치의 읽기 또는 쓰기 속도를 보증하지 않는다. 읽기 및 쓰기 속도는 사용하는 장치에 따라 달라질 수 있다.

· 회사명, 제품명 및 서비스명은 해당 회사의 상표일 수 있다.

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키오시아 소개

키오시아(Kioxia)는 플래시 메모리 및 솔리드 스테이트 드라이브(Solid-State Drive, SSD)의 개발, 생산 및 판매에 전념하는 메모리 솔루션 분야의 세계적 리더이다. 2017년 4월, 그 전신인 도시바 메모리(Toshiba Memory)는 1987년 NAND 플래시 메모리를 발명한 회사인 도시바(Toshiba Corporation)에서 스핀오프했다. 키오시아는 고객이 만족하는 선택과 사회를 위한 ‘메모리’ 기반 가치를 창출하는 제품, 서비스 및 시스템을 제공함으로써 메모리로 세상을 발전시키는 데 전념하고 있다. 키오시아의 혁신적인 3D 플래시 메모리 기술인 BiCS FLASH™는 고급 스마트폰, PC, 자동차 시스템, 데이터 센터 및 생성형 AI 시스템을 포함한 고밀도 애플리케이션에서 스토리지의 미래를 만들어가고 있다.

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